MBR3045/GI

上海秦邦电子科技有限公司

vishay二极管
VSKC166/04PBF
VSKC166/08PBF
VSKC166/12PBF
VSKC166/16PBF
VSKC196/04PBF
VSKC196/08PBF
VSKC196/12PBF
VSKC236/04PBF
VSKC236/12PBF
VSKC236/16PBF
VSKC250-08
VSKC250-12
VSKC250-16
VSKC270-04
VSKC270-12
VSKC320-04
VSKC320-08
VSKC320-12
VSKC320-16
VSKC320-20
VSKC56/04P
VSKC56/06P
VSKC56/08P
VSKC56/10P
VSKC56/12P
VSKC56/14P
VSKC56/16P
VSKC71/04P
VSKC71/06P
VSKC71/08P
VSKC71/10P
VSKC71/12P
VSKC71/14P
VSKC71/16P
VSKC91/04P
VSKC91/06P
VSKC91/08P
VSKC91/10P
VSKC91/12P
VSKC91/14P
VSKC91/16P
VSKD166/04PBF
VSKD166/08PBF
VSKD166/12PBF
VSKD166/14PBF
VSKD166/16PBF
VSKD196/04PBF
VSKD196/08PBF
VSKD196/12PBF
VSKD196/16PBF
VSKD236/04PBF
VSKD236/08PBF
VSKD236/12PBF
VSKD236/16PBF
VSKD250-04
VSKD250-08
VSKD250-12
VSKD250-16
VSKD250-20
VSKD270-04
VSKD270-08
VSKD270-12
VSKD270-16
VSKD270-30
VSKD320-04
VSKD320-08
VSKD320-12
VSKD320-16
VSKD320-20
VSKD56/04P
VSKD56/06P
VSKD56/08P
VSKD56/10P
VSKD56/12P
VSKD56/14P
VSKD56/16P
VSKD600-08
VSKD600-12
VSKD600-16
VSKD600-20
VSKD71/04P
VSKD71/06P
VSKD71/08P
VSKD71/10P
VSKD71/12P
VSKD71/14P
VSKD71/16P
VSKD91/04P
VSKD91/06P
VSKD91/08P
VSKD91/10P
VSKD91/12P
VSKD91/14P
VSKD91/16P

二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
正向特性
在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。
反向特性
在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压到某一数值，反向电流会急剧，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
PROTON二极管
二极管模块
MD3-660-18-A2-N
MD3-580-26-A2-N
MD3-470-44-A2-N
MD3-320-65-A2-N
MD3-515-36-A2-N
MD3-380-52-A2-N
MD3-320-18-C-N
MD3-250-26-C-N
MD3-200-34-C-N
MD3-1000-28-D-N
MD3-800-44-D-N
MD1-950-44-E-N
MD1-1125-28-E-N
MD1-1280-22-E-N
MD3-245-18-F-N
MD3-215-22-F-N
MD3-175-28-F-N
MD3-155-36-F-N

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分
sirectifier二极管
二极管模块
SDD36N08
SDD36N12
SDD36N14
SDD36N16
SDD36N18
SDD36N08B
SDD36N12B
SDD36N14B
SDD36N16B
SDD36N18B
SDD60N08
SDD60N12
SDD60N14
SDD60N16
SDD60N18
SDD60N08B
SDD60N12B
SDD60N14B
SDD60N16B
SDD60N18B
SDD70N08
SDD70N12
SDD70N14
SDD70N16
SDD70N18
SDD70N08B
SDD70N12B
SDD70N14B
SDD70N16B
SDD70N18B
SDD100N08
SDD100N12
SDD100N14
SDD100N16
SDD100N18
SDD100N08B
SDD100N12B
SDD100N14B
SDD100N16B
SDD100N18B
SDD120N08
SDD120N12
SDD120N14
SDD120N16
SDD120N18
SDD120N08B
SDD120N12B
SDD120N14B
SDD120N16B
SDD120N18B
SDD165N08
SDD165N12
SDD165N14
SDD165N16
SDD165N18
SDD165N08B
SDD165N12B
SDD165N14B
SDD165N16B
SDD165N18B 
SDD190N08
SDD190N12
SDD190N14
SDD190N16
SDD190N18
SDD190N08B
SDD190N12B
SDD190N14B
SDD190N16B
SDD190N18B
SDD253N08
SDD253N12
SDD253N14
SDD253N16
SDD253N18
SDD253N08BT
SDD253N12BT
SDD253N14BT
SDD253N16BT
SDD253N18BT
SDD320N08
SDD320N12
SDD320N14
SDD320N16
SDD320N18
SDD320N08BT
SDD320N12BT
SDD320N14BT
SDD320N16BT
SDD320N18BT
SDD600N08BT
SDD600N14BT
SDD600N18BT
SDD600N16BT
SDD600N12BT
SDD500N16
SDD500N12
SDD250N16
SDD250N12
SDD181N16
SDD181N12
SDD27N16
SDD27N12
SDD18N16
SDD18N12
SDD800N18PT
SDD800N08PT
SDD800N12PT
SDD800N16PT
SDD800N14PT

反向性
外加反向电压不**过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加
三社二极管模块：
DD25F120
DD25F160
DD40F120
DD40F160
DD55F120
DD55F160
DD70F120
DD70F160
DD90F120
DD90F160
DD110F120
DD110F160
DD130F120
DD130F160
DD160F120
DD100HB120
DD100HB160
DD200HB120               
DD200HB160
DD250HB120
DD250HB160
DD30GB40
DD30GB80
DD60KB160
DD60KB120
DD60HB160
DD60HB120
DD60KB80
DD60GB80
DD60GB40
DD100KB160
DD100KB120
DD100KB80
DD100KB40
DD100GB80
DD100GB40
KD30GB40
KD30GB80 
KD60GB40 
KD60GB80
KD100GB40 
KD100GB80 
KD30HB120
KD30HB160
KD60HB120
KD60HB160
KD100HB120 
KD100HB160
DWR50A30
DWR70A30
MDFR150A-L
MDFR250A-L
MDFR150A-M
MDFR250A-M
MDF250A-L
MDF150A-L
MDF150A-M
DD30HB160
DD30HB120
DD300KB80
DD300KB160
DD300KB40
DD250GB40
DD300KB120
DD240KB120
DD240KB40
DD250GB80
DD240KB80
DD240KB160
DD200KB80
DD200KB160
DD200KB40
DD200GB40
DD200KB120
DD200GB80
DD160KB40
DD160KB120
DD160KB160
DD160KB80
KF100HB120
KF100HB160
MDF150A40
MDF150A50
MDF200A40
MDF200A30
MDF250A30
MDF200A50
MDF250A40
MDF250A50
MDR250A40L
MDR100A30
MDR100A50
MDR100A40
MDR150A40
MDR150A30
MDR150A50
MDR200A30
MDR200A40
MDR200A50
MDR250A30
MDR250A40
MDR250A50
DWR40A40
DWR50A40
DWR70A40
DWR70A30
DWR50A30
DWR40A30
DWR100A40
DWR100A30
DWF70A30
DWF70BB30
DWF50A40
DWF40A40
DWF70BB40
DWF70A40
DWF50A30
DWF40A30
SDWF100A40
DWF100A30
肖特基二极管
DSR200AA60
DSR200BA60
DSR200BA50
DSR300BA60
DSR400AA60
DG20AA120
DG20AA80
DG20AA40 
DG20AA160
快速恢复二极管模块 
Fast Recovery Diode Modules  
FRG150BA50
FRG25BA60 
FRG25CA120
FDF60BA60
FDF25CA120
FDF25CA100
FRD100BA60 
FRD100CA120
FDS100CA120 
FDS100CA100
FDS100BA60
FRS200AA40
FRS200AA60
FRS200CA100
FRS200CA120
FRS300CA50
FRS400CA120
FRS400DA120
FRS400DA100
FRS150BA50 
FRS400BA50
FRS400BA60
FRS200BA60
FRS300BA50
FRS400EA180
FRS400EA200
DKR200AB60
DKR300AB60
DKR400AB60
BKR400AC10
BKR400AB10
DKA300AA60 
DBA100UA60 
DBA100UA40 
DBA200UA40 
DBA200UA60